خانه نیمه هادی دیود، ترانزیستور و تریستور ترانزیستور MOSFET

ماسفت قدرت 2N7000 N-channel

Name: ماسفت قدرت 2N7000 N-channel
SKU: 0304231
Rating: 4 (1 reviews)

شناسه 0304231

5 (9 رای) 2

تصویر ممکن است تفاوت‌های جزیی با کالای ارسالی داشته باشد. اما این تفاوت‌ها تاثیری بر عملکرد و کارایی آن ندارند.

بهترین فروشندگان براساس قیمت تعدادی

1	روبوایکیو	150,000
100	روبوایکیو	149,000
500	میعاد الکترونیک	182,000

بهترین فروشنده

حداقل تعداد قابل سفارش 1 عدد می‌باشد

روبوایکیو

موجود در انبار روبوایکیو

سلامت فیزیکی و فنی کالا

۱۵۰,۰۰۰

قیمت بهتری سراغ دارید؟ ثبت قیمت کمتر

نام فروشنده داخلی	۱+ عدد	۱۰۰+ عدد	۵۰۰+ عدد	۱۰۰۰+ عدد	۵۰۰۰+ عدد	۱۰۰۰۰+ عدد	ویژگی‌ها
روبوایکیو	150,000	149,000	148,000	146,000	145,000	144,000	سلامت فیزیکی و فنی کالا
میعاد الکترونیک	209,000	190,000	182,000	-	-	-	سلامت فیزیکی کالا ارسال از ۵ روز کاری

مستندات فنی

عنوان	مقدار
دیتاشیت	دانلود
وزن	۰/۲۳ گرم
عنوان انگلیسی	2N7000 N‑Channel MOSFET
نوع پلاریته	N-Channel
حداکثر ولتاژ درین-سورس	60 V
حداکثر جریان درین	0.2 A
حداکثر ولتاژ گیت-سورس	18 V
حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC	1 W
تعداد پایه	3
پکیج	TO_92
پارت نامبر	2N7000
زمان صعود	10 ns
زمان نزول	10 ns
طول	4.9 mm
عرض	3.3 mm
ارتفاع	17 mm
محدوده دمای کاری	-55~150 °C

توضیحات محصول

این نوع ترانزیستورهای اثر میدانی با تراکم سلولی بالا فن آوری شده است. این محصولات به گونه ای طراحی شده اند که حالت On-state را به حداقل برسانند.این ترانزیستور هاکارایی قابل اعتماد و سریعی دارند ومی توان در اکثر برنامه هایی که تا 400میلی امپر جریان دارند ومیتواند جریان های پالسی را تا2 امپر ارائه دهند.این محصولات به ویژه برای کاربردهای ولتاژ پایین و جریان کم مناسب هستند.از کاربرد های دیگر این محصول میتوان به استفاده درکنترل موتور سروو کوچک، درایورهای گیت ماسفت برق و سوئیچینگ برنامه ها و غیره اشاره کرد. از دیگر امکانات این محصول می توان به طراحی سلول با چگالی بالا برای RDS پایین (روشن)،سوئیچ سیگنال کوچک کنترل شده با ولتاژ قابلیت جریان اشباع بالاو بدون سرب و بدون هالوژن است .

2N7000ترانزیستور