خانه نیمه هادی دیود، ترانزیستور و تریستور ترانزیستور MOSFET

ماسفت قدرت 2N7000 N-channel

Name: ماسفت قدرت 2N7000 N-channel
SKU: 0304231
Rating: 4 (1 reviews)

شناسه 0304231

5 (8 رای) 2

تصویر ممکن است تفاوت‌های جزیی با کالای اصلی داشته باشد. اما این تفاوت‌ها تاثیری بر عملکرد و کارایی آن ندارند.

بهترین فروشندگان براساس قیمت تعدادی

1 نویز الکترونیک 72,000

بهترین فروشنده

حداقل تعداد قابل سفارش 1 عدد می‌باشد

نویز الکترونیک

موجود در انبار روبوایکیو

سلامت ظاهری و فنی کالا

۷۲,۰۰۰

قیمت بهتری سراغ دارید؟ ثبت قیمت کمتر

نام فروشنده داخلی		۱+ عدد	۱۰۰+ عدد	۵۰۰+ عدد	۱۰۰۰+ عدد	۵۰۰۰+ عدد	۱۰۰۰۰+ عدد	ویژگی‌ها
روبوایکیو	0	98,200	97,000	96,000	94,800	91,600	81,600	سلامت ظاهری کالا
میعاد الکترونیک	3	111,000	104,000	101,000	100,000	96,900	96,900	سلامت ظاهری کالا
نویز الکترونیک	3	72,000	72,000	72,000	72,000	72,000	72,000	سلامت ظاهری و فنی کالا

مستندات فنی

عنوان	مقدار
دیتاشیت	دانلود
وزن	۰/۲۳ گرم
نوع پلاریته	N-Channel
حداکثر ولتاژ درین-سورس	60 V
حداکثر جریان درین	0.2 A
حداکثر ولتاژ گیت-سورس	18 V
حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC	1 W
تعداد پایه	3
پکیج	TO_92
پارت نامبر	2N7000
زمان صعود	10 ns
زمان نزول	10 ns
طول	4.9 mm
عرض	3.3 mm
ارتفاع	17 mm
محدوده دمای کاری	-55~150 °C

توضیحات محصول

این نوع ترانزیستورهای اثر میدانی با تراکم سلولی بالا فن آوری شده است. این محصولات به گونه ای طراحی شده اند که حالت On-state را به حداقل برسانند.این ترانزیستور هاکارایی قابل اعتماد و سریعی دارند ومی توان در اکثر برنامه هایی که تا 400میلی امپر جریان دارند ومیتواند جریان های پالسی را تا2 امپر ارائه دهند.این محصولات به ویژه برای کاربردهای ولتاژ پایین و جریان کم مناسب هستند.از کاربرد های دیگر این محصول میتوان به استفاده درکنترل موتور سروو کوچک، درایورهای گیت ماسفت برق و سوئیچینگ برنامه ها و غیره اشاره کرد. از دیگر امکانات این محصول می توان به طراحی سلول با چگالی بالا برای RDS پایین (روشن)،سوئیچ سیگنال کوچک کنترل شده با ولتاژ قابلیت جریان اشباع بالاو بدون سرب و بدون هالوژن است .

2N7000ترانزیستور