خانه نیمه هادی دیود، ترانزیستور و تریستور ترانزیستور MOSFET

ماسفت قدرت 2N7000 N-channel

Name: ماسفت قدرت 2N7000 N-channel
SKU: 0304231
Rating: 4 (1 reviews)

شناسه 0304231

5 (7 رای) 2

تصویر ممکن است تفاوت‌های جزیی با کالای اصلی داشته باشد. اما این تفاوت‌ها تاثیری بر عملکرد و کارایی آن ندارند.

بهترین فروشندگان براساس قیمت تعدادی

100	میعاد الکترونیک	89,100
500	میعاد الکترونیک	85,700

بهترین فروشنده

حداقل تعداد قابل سفارش 2 عدد می‌باشد

روبوایکیو

موجود در انبار روبوایکیو

سلامت ظاهری کالا

۷۳,۵۰۰

قیمت بهتری سراغ دارید؟ ثبت قیمت کمتر

نام فروشنده داخلی		۱+ عدد	۱۰۰+ عدد	۵۰۰+ عدد	۱۰۰۰+ عدد	۵۰۰۰+ عدد	۱۰۰۰۰+ عدد	ویژگی‌ها
روبوایکیو	0	73,500	63,000	62,700	62,400	62,100	61,700	سلامت ظاهری کالا
میعاد الکترونیک	3	95,600	89,100	85,700	84,400	83,900	83,900	سلامت ظاهری کالا ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر

مستندات فنی

عنوان	مقدار
دیتاشیت	دانلود
وزن	۰/۲۳ گرم
نوع پلاریته	N-Channel
حداکثر ولتاژ درین-سورس	60 V
حداکثر جریان درین	0.2 A
حداکثر ولتاژ گیت-سورس	18 V
حداکثر توان اتلافی در Tc=25ᵒC	1 W
تعداد پایه	3
پکیج	TO_92
پارت نامبر	2N7000
زمان صعود	10 ns
زمان نزول	10 ns
طول	4.9 mm
عرض	3.3 mm
ارتفاع	17 mm
محدوده دمای کاری	-55~150 °C

توضیحات محصول

این نوع ترانزیستورهای اثر میدانی با تراکم سلولی بالا فن آوری شده است. این محصولات به گونه ای طراحی شده اند که حالت On-state را به حداقل برسانند.این ترانزیستور هاکارایی قابل اعتماد و سریعی دارند ومی توان در اکثر برنامه هایی که تا 400میلی امپر جریان دارند ومیتواند جریان های پالسی را تا2 امپر ارائه دهند.این محصولات به ویژه برای کاربردهای ولتاژ پایین و جریان کم مناسب هستند.از کاربرد های دیگر این محصول میتوان به استفاده درکنترل موتور سروو کوچک، درایورهای گیت ماسفت برق و سوئیچینگ برنامه ها و غیره اشاره کرد. از دیگر امکانات این محصول می توان به طراحی سلول با چگالی بالا برای RDS پایین (روشن)،سوئیچ سیگنال کوچک کنترل شده با ولتاژ قابلیت جریان اشباع بالاو بدون سرب و بدون هالوژن است .

2N7000ترانزیستور