اصالت
وضعیت استفاده
1210 کالا یافت شد
حذف همه
ترانزیستور 2SC2371 روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 64,700
بهترین قیمت تعدادی: ۵۸,۰۰۰
ترانزیستور با مقاومت بیس 2SC3400 روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 53,400
بهترین قیمت تعدادی: ۵۲,۶۰۰
ماسفت قدرت STW70N10F4 N-Channel روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 3,600,000
بهترین قیمت تعدادی: ۳,۴۸۰,۰۰۰
ترانزیستور 2SK65 N-Channel JFET روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 303,000
بهترین قیمت تعدادی: ۲۸۵,۰۰۰
ماسفت SMD IRF4905S P-Channel بازسازی شده روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 1,040,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۰۱۰,۰۰۰
ماسفت FQPF7N60 N-Channel روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 718,000
بهترین قیمت تعدادی: ۶۹۰,۰۰۰
ترانزیستور 2SC4454 NPN روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 82,400
بهترین قیمت تعدادی: ۷۲,۲۰۰
ترانزیستور 2SC2259 NPN روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 8,590,000
بهترین قیمت تعدادی: ۸,۴۰۰,۰۰۰
ترانزیستور 2SC536 NPN روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 56,900
بهترین قیمت تعدادی: ۴۷,۵۰۰
ترانزیستور  2SC4010 NPN روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 46,600
بهترین قیمت تعدادی: ۴۶,۰۰۰
ماسفت قدرت IRFP350 N-Channel روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 3,840,000
بهترین قیمت تعدادی: ۳,۶۶۰,۰۰۰
ماسفت قدرت IRFZ20A N-Channel روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 722,000
بهترین قیمت تعدادی: ۷۰۸,۰۰۰
ترایاک SMD Z0107 روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 905,000
بهترین قیمت تعدادی: ۸۸۴,۰۰۰
ماسفت SMD P1003BDF N-Channel روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 439,000
بهترین قیمت تعدادی: ۴۱۸,۰۰۰
ترانزیستور SMD RJP30H2A N-Channel IGBT بازسازی شده روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 3,840,000
بهترین قیمت تعدادی: ۳,۷۸۰,۰۰۰
ترانزیستور FGL60N100BNTD IGBT روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 14,000,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۳,۵۰۰,۰۰۰
ترانزیستور IGBT G160N60UFD روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 16,800,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۶,۶۰۰,۰۰۰
ترانزیستور 2N5550 روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 129,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۰۹,۰۰۰
ترانزیستور 2SC4130 روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 163,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۵۹,۰۰۰
ترانزیستور 2SC4686A روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 465,000
بهترین قیمت تعدادی: ۴۵۶,۰۰۰
ترانزیستور 2SD1416 روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 490,000
بهترین قیمت تعدادی: ۴۵۶,۰۰۰
ترانزیستور MPSA14 NPN روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 95,600
بهترین قیمت تعدادی: ۸۴,۶۰۰
ترانزیستور BC172A NPN روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 117,000
بهترین قیمت تعدادی: ۹۱,۶۰۰
ترانزیستور BCY88 کپی روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 4,310,000
بهترین قیمت تعدادی: ۴,۱۶۰,۰۰۰
ترانزیستور PBSS5240T - ZFW روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 401,000
بهترین قیمت تعدادی: ۳۹۲,۰۰۰
ترانزیستور HGTG10N120BND N-Channel IGBT روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 8,670,000
بهترین قیمت تعدادی: ۸,۳۲۰,۰۰۰
ترانزیستور 2SC5198 NPN روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 2,290,000
بهترین قیمت تعدادی: ۲,۱۸۰,۰۰۰
ترانزیستور قدرت D13009K NPN روبوایکیو
ناموجود با امکان تامین
بهترین قیمت تکی: 985,000
بهترین قیمت تعدادی: ۹۴۷,۰۰۰
ترانزیستور قدرت FJP13009 NPN کپی سامان الکترونیک ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 301,000
ماسفت قدرت SMD IPD90N10S4L-06 N-Channel روبوایکیو
ناموجود
بهترین قیمت تکی: 6,100,000
بهترین قیمت تعدادی: ۵,۹۱۰,۰۰۰

درباره نیمه هادی

نیمه‌هادی ماده‌ای است که میزان رسانایی آن بین رسانا و عایق (نارسانا) قرار می‌گیرد. مقاومت الکتریکی نیمه‌هادی‌ برخلاف فلزات با افزایش دما کاهش می‌یابد. از جمله ویژگی‌های این ماده می‌توان عبور جریان از یک سمت، تغییر مقاومت الکتریکی و حساسیت به نور یا گرما اشاره کرد. مهم‌ترین انواع نیمه‌هادی‌ شامل ترکیباتی مانند گالیم آرسنید یا عناصر خالصی مانند سیلیکون و ژرمانیوم است. در حالت معمول، نیمه‌هادی‌ها خنثی هستند و برای ایجاد نیمه‌هادی‌ نوع n و p باید به آن‌ها ناخالصی اضافه شود.
نیمه‌هادی نوع n، زمانی ایجاد می‌شود که یک نیمه‌هادی خالص مانند سیلیکون یا ژرمانیوم با یک ناخالصی‌ پنج‌ظرفیتی مانند فسفر (P)، آرسنیک (As)، آنتیموان (Sb) یا بیسموت (Bi) ترکیب شود. در این حالت، چهار الکترون از ناخالصی با چهار الکترون نیمه‌هادی خالص پیوند می‌خورند و الکترون پنجم به صورت آزاد در شبکه حرکت می‌کند. این الکترون آزاد سبب هدایت الکتریکی می‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌شود و نیمه هادی نوع n را تشکیل می‌دهد.
یکی دیگر از انواع نیمه‌هادی، نیمه‌هادی نوع p است. این نوع نیمه‌هادی زمانی به ‌وجود می‌آید که یک نیمه‌هادی خالص با یک ناخالصی‌ سه‌ ظرفیتی مانند بور (B)، آلومینیوم (Al)، ایندیم (In) یا گالیوم (Ga) ترکیب شود. سه الکترون این ناخالصی‌ها با سه الکترون نیمه‌هادی پیوند می‌دهد که باعث ایجاد حفره‌هایی می‌شود که به‌عنوان بار مثبت عمل می‌کنند. با افزایش میزان ناخالصی در این نوع نیمه‌هادی‌ها، تعداد حفره‌ها (حامل‌های بار مثبت) بیشتر می‌شود و نیمه‌هادی نوع P شکل می‌گیرد.

کاربرد نیمه‌هادی‌ در صنعت، از جمله ساخت انواع حسگرها، تجهیزات کنترلی و سیستم‌های اتوماسیون، بسیار گسترده است و به بخش جدایی‌ناپذیری از فناوری‌های صنعتی تبدیل شده است. از انواع کاربرد نیمه‌هادی در صنعت می‌توان به موارد زیر اشاره کرد.
• دیود
• ترانزیستور
• فتوسل
• سلول خورشیدی
• ترایاک
• سنسور اثر هال

در گذشته، به جای بسیاری از کاربردهای نیمه‌هادی از لوله‌های خلا استفاده می‌کردند. اما امروزه نیمه‌هادی‌ها جایگزین آن‌ها شده‌اند. از جمله مزایای استفاده از قطعات نیمه‌هادی به جای لوله‌های خلا می‌توان به موارد زیر اشاره کرد.
• قطعات نیمه‌هادی نیازی به گرم شدن برای آزاد سازی الکترون ندارند، بنابراین مصرف انرژی آن‌ها بسیار بهینه است.
• این قطعات تاخیری ندارند و بلافاصله پس از فعال شدن مدارعمل می‌کنند.
• در طول عملکرد، هیچ صدای مزاحمی از این قطعات تولید نمی‌شود.
• برخلاف لوله‌های خلأ، قطعات نیمه‌هادی قابلیت عملکرد مؤثر در ولتاژهای پایین را دارند.
• طراحی کوچک و جمع‌وجور این قطعات، امکان ساخت مدارهایی با ابعاد بسیار کم را فراهم کرده است که یکی از دلایل اصلی کاربرد نیمه‌هادی در صنعت است.
• ساختار مقاوم این قطعات، آن‌ها را در برابر شوک‌های مکانیکی و ضربات فیزیکی بسیار پایدار می‌کند.
• از نظر اقتصادی، قطعات نیمه‌هادی با هزینه‌ای به‌مراتب کمتر نسبت به لوله‌های خلأ تولید و عرضه می‌شوند.
• طول عمر بالای این قطعات، آن‌ها را به یکی از ماندگارترین انتخاب‌ها برای سیستم‌های الکترونیکی تبدیل کرده است.

از جمله معایب نیمه‌هادی‌ نوع n و p نسبت به لوله‌های خلا، می‌توان به موارد زیر اشاره کرد.
• در مقایسه با لوله‌های خلأ، قطعات نیمه‌هادی معمولاً نویز بیشتری در مدار تولید می‌کنند.
• این قطعات نمی‌توانند توان بالایی مشابه لوله‌های خلأ داشته باشند و در کاربردهای با توان بالا محدودیت دارند.
• عملکرد قطعات نیمه‌هادی در فرکانس‌های بالا کاهش یافته و کارایی مطلوبی در این شرایط از خود نشان نمی‌دهند.