اصالت
وضعیت استفاده
1209 کالا یافت شد
حذف همه
ترانزیستور 2SC5200 برند TOSHIBA مگا الکترونیک ارسال از روبوایکیو ۳ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 3,380,000
ترانزیستور قدرت ST13003 NPN روبوایکیو
بهترین قیمت تکی: 280,000
بهترین قیمت تعدادی: ۲۶۶,۰۰۰
تریستور سفینه ای مدل KY201E اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 5,500,000
ترانزیستور قدرت BD138 P-Channel بهامد
بهترین قیمت تکی: 95,000
بهترین قیمت تعدادی: ۹۰,۰۰۰
ترانزیستور MP14B NPN  فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 1,780,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۷۳۰,۰۰۰
ترانزیستور MP21E PNP فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 1,810,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۶۸۰,۰۰۰
ترایاک BTA24-600CW روبوایکیو
بهترین قیمت تکی: 2,100,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۹۸۰,۰۰۰
ماسفت SIHG20N50C2 N-Channel مگا الکترونیک
بهترین قیمت: 2,660,000
ترانزیستور BLD128 مگا الکترونیک
بهترین قیمت تکی: 298,000
بهترین قیمت تعدادی: ۲۷۸,۰۰۰
ماسفت SMD AO3414 N-Channel روبوایکیو
بهترین قیمت تکی: 138,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۳۲,۰۰۰
تریستور کابلی 1200 ولت 100 آمپر مدل SKT100/12C برند SEMIKRON آلمان ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 33,800,000
بهترین قیمت تعدادی: ۳۱,۵۰۰,۰۰۰
ترایاک BTA08 600C نویز الکترونیک
بهترین قیمت: 765,000
ترانزیستور MP20B PNP فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 2,010,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۹۰۰,۰۰۰
ترانزیستور MP115T PNP فلزی ساخت روسیه ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 2,110,000
ترانزیستور MP36A NPN فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 2,010,000
ترانزیستور KT601A NPN  فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 2,860,000
بهترین قیمت تعدادی: ۲,۸۱۰,۰۰۰
ترانزیستور MP40A PNP فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 1,780,000
ترانزیستور 2SD669 N-Channel بهامد
بهترین قیمت تکی: 110,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۰۰,۰۰۰
ترانزیستور 2N2222A فلزی بازسازی شده روبوایکیو
بهترین قیمت تکی: 1,540,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۴۹۰,۰۰۰
ترانزیستور 2N327A PNP فلزی ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 2,110,000
ترانزیستور BD680 ST مگا الکترونیک ارسال از روبوایکیو ۳ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 450,000
ترانزیستور P307V NPN فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 1,900,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۸۴۰,۰۰۰
ترانزیستور MP42A PNP فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 1,780,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۷۳۰,۰۰۰
ماسفت لاجیک قدرت IRLZ44N 2 فروشگاه
بهترین قیمت: 3,580,000
ترانزیستور MP113 NPN فلزی اصل روس ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 1,780,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱,۷۳۰,۰۰۰
ترانزیستور قابلمه ای BUY69A مگا الکترونیک ارسال از روبوایکیو ۳ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 8,200,000
ماسفت SUP60N06 N-Channel یزد الکترونیک ارسال از روبوایکیو ۲ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 390,000
جعبه 15 خانه ترانزیستورهای پر کاربرد 50 تایی روبوایکیو
بهترین قیمت تکی: 112,000,000
بهترین قیمت تعدادی: ۱۰۷,۰۰۰,۰۰۰
تریستور کابلی 1000 ولت 320 آمپر T955-250-10 ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت: 51,700,000
تریستور کابلی 1200 ولت 160 آمپر مدل IXYSCS112-12io1 برند ABB آلمان ASE ارسال از روبوایکیو ۴ روز کاری دیگر
بهترین قیمت تکی: 37,900,000
بهترین قیمت تعدادی: ۳۶,۳۰۰,۰۰۰

درباره نیمه هادی

نیمه‌هادی ماده‌ای است که میزان رسانایی آن بین رسانا و عایق (نارسانا) قرار می‌گیرد. مقاومت الکتریکی نیمه‌هادی‌ برخلاف فلزات با افزایش دما کاهش می‌یابد. از جمله ویژگی‌های این ماده می‌توان عبور جریان از یک سمت، تغییر مقاومت الکتریکی و حساسیت به نور یا گرما اشاره کرد. مهم‌ترین انواع نیمه‌هادی‌ شامل ترکیباتی مانند گالیم آرسنید یا عناصر خالصی مانند سیلیکون و ژرمانیوم است. در حالت معمول، نیمه‌هادی‌ها خنثی هستند و برای ایجاد نیمه‌هادی‌ نوع n و p باید به آن‌ها ناخالصی اضافه شود.
نیمه‌هادی نوع n، زمانی ایجاد می‌شود که یک نیمه‌هادی خالص مانند سیلیکون یا ژرمانیوم با یک ناخالصی‌ پنج‌ظرفیتی مانند فسفر (P)، آرسنیک (As)، آنتیموان (Sb) یا بیسموت (Bi) ترکیب شود. در این حالت، چهار الکترون از ناخالصی با چهار الکترون نیمه‌هادی خالص پیوند می‌خورند و الکترون پنجم به صورت آزاد در شبکه حرکت می‌کند. این الکترون آزاد سبب هدایت الکتریکی می‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌شود و نیمه هادی نوع n را تشکیل می‌دهد.
یکی دیگر از انواع نیمه‌هادی، نیمه‌هادی نوع p است. این نوع نیمه‌هادی زمانی به ‌وجود می‌آید که یک نیمه‌هادی خالص با یک ناخالصی‌ سه‌ ظرفیتی مانند بور (B)، آلومینیوم (Al)، ایندیم (In) یا گالیوم (Ga) ترکیب شود. سه الکترون این ناخالصی‌ها با سه الکترون نیمه‌هادی پیوند می‌دهد که باعث ایجاد حفره‌هایی می‌شود که به‌عنوان بار مثبت عمل می‌کنند. با افزایش میزان ناخالصی در این نوع نیمه‌هادی‌ها، تعداد حفره‌ها (حامل‌های بار مثبت) بیشتر می‌شود و نیمه‌هادی نوع P شکل می‌گیرد.

کاربرد نیمه‌هادی‌ در صنعت، از جمله ساخت انواع حسگرها، تجهیزات کنترلی و سیستم‌های اتوماسیون، بسیار گسترده است و به بخش جدایی‌ناپذیری از فناوری‌های صنعتی تبدیل شده است. از انواع کاربرد نیمه‌هادی در صنعت می‌توان به موارد زیر اشاره کرد.
• دیود
• ترانزیستور
• فتوسل
• سلول خورشیدی
• ترایاک
• سنسور اثر هال

در گذشته، به جای بسیاری از کاربردهای نیمه‌هادی از لوله‌های خلا استفاده می‌کردند. اما امروزه نیمه‌هادی‌ها جایگزین آن‌ها شده‌اند. از جمله مزایای استفاده از قطعات نیمه‌هادی به جای لوله‌های خلا می‌توان به موارد زیر اشاره کرد.
• قطعات نیمه‌هادی نیازی به گرم شدن برای آزاد سازی الکترون ندارند، بنابراین مصرف انرژی آن‌ها بسیار بهینه است.
• این قطعات تاخیری ندارند و بلافاصله پس از فعال شدن مدارعمل می‌کنند.
• در طول عملکرد، هیچ صدای مزاحمی از این قطعات تولید نمی‌شود.
• برخلاف لوله‌های خلأ، قطعات نیمه‌هادی قابلیت عملکرد مؤثر در ولتاژهای پایین را دارند.
• طراحی کوچک و جمع‌وجور این قطعات، امکان ساخت مدارهایی با ابعاد بسیار کم را فراهم کرده است که یکی از دلایل اصلی کاربرد نیمه‌هادی در صنعت است.
• ساختار مقاوم این قطعات، آن‌ها را در برابر شوک‌های مکانیکی و ضربات فیزیکی بسیار پایدار می‌کند.
• از نظر اقتصادی، قطعات نیمه‌هادی با هزینه‌ای به‌مراتب کمتر نسبت به لوله‌های خلأ تولید و عرضه می‌شوند.
• طول عمر بالای این قطعات، آن‌ها را به یکی از ماندگارترین انتخاب‌ها برای سیستم‌های الکترونیکی تبدیل کرده است.

از جمله معایب نیمه‌هادی‌ نوع n و p نسبت به لوله‌های خلا، می‌توان به موارد زیر اشاره کرد.
• در مقایسه با لوله‌های خلأ، قطعات نیمه‌هادی معمولاً نویز بیشتری در مدار تولید می‌کنند.
• این قطعات نمی‌توانند توان بالایی مشابه لوله‌های خلأ داشته باشند و در کاربردهای با توان بالا محدودیت دارند.
• عملکرد قطعات نیمه‌هادی در فرکانس‌های بالا کاهش یافته و کارایی مطلوبی در این شرایط از خود نشان نمی‌دهند.